UF3SC120009K4S

UF3SC120009K4S
Spannung [Vr]
1200V
Strom max [Id]
120,0A
RDS(on) typ
8.6mOhm
Gehäuse
TO-247-4L
Hersteller
United Silicon Carbide
Produktbeschreibung

SiC Cascode FET, 1200V, 9mOhm, 3.Generation

- Geringster am Markt verfügbarer RDS(on) <9mΩ at 1200V

- Für Parallelbeschaltung ausbalancierter On-State Strom wegen positivem RDS(on) Koeffizienten

- Sehr geringe Temperaturabhängigkeit der Body Diode und des QRR

- Sehr geringe Eon Eoff Schaltverluste

- Einfache Anbindung an Standard Gate Treiber