• SiC Cascoden FETs

    • UF3C065080T3S

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    UF3C065080T3S
    Spannung [Vr]
    650V
    Strom max [Id]
    31,0A
    RDS(on) typ
    80mOhm
    Gehäuse
    TO-220-3L
    Hersteller
    United Silicon Carbide
    Produktbeschreibung

    United Silicon Carbide’s UF3C065080T3S 650V 80mOhm RDS(on) cascode SiC FET products co-package its high-performance G3 SiC JFETs with a FET optimized MOSFET. The device comes in a TO-220-3L package.

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