UF3SC120009K4S

Spannung [Vr]
1200V

Strom max [Id]
120,0A

RDS(on) typ
8.6mOhm

Gehäuse
TO-247-4L

Hersteller
United Silicon Carbide

Produktbeschreibung

SiC Cascode FET, 1200V, 9mOhm, 3.Generation

- Geringster am Markt verfügbarer RDS(on) <9mΩ at 1200V

- Für Parallelbeschaltung ausbalancierter On-State Strom wegen positivem RDS(on) Koeffizienten

- Sehr geringe Temperaturabhängigkeit der Body Diode und des QRR

- Sehr geringe Eon Eoff Schaltverluste

- Einfache Anbindung an Standard Gate Treiber

Datenblatt (English) pdfUF3SC120009K4S_1685-21716-0034-E-0120

Produktübersicht (English) pdfUnitedSiC-New_1685-21716-0003-E-0120

Applikationen