Leistungsumwandlung

Zeitersparnis durch fertige Testplatine

Siliziumkarbid-Leistungsschalter sind für eine effizientere Leistungswandlung von zentraler Bedeutung. SiC FET und SiC Schottky Dioden finden in AC/DC, DC/DC Wandlung vielfältige Einsatzbereiche. Vor der Untersuchung der Leistungsschalter verschlingt die Auswahl geeigneter Komponenten und die Entwicklung eines auf Streueffekte minimierten Layouts bereits viel Zeit. Mit BeFAST Test-Board von Angst+Pfister können sich Kunden 3-4 Wochen Zeit Entwicklungszeit einsparen.

BeFAST kombiniert verlustarme SiC FETs mit den, für einen effizienten und sicheren Betrieb notwendigen Produkte zu einer voll funktionsfähigen Halbbrücke. Das Layout wurde in mehreren Entwicklungsschritten auf Streueffekte hin optimiert. Kunden erhalten eine fertige Testplatine (Dual-Pulse Test oder Lastbetrieb mit Kühlkörper) und können mit dem Testergebnis viel schneller in Ihre Applikation gehen.

Das BeFAST kann mit geringem Aufwand aufkommende vierte Generation (UJ4C) von SiC FET angepasst werden. Um diesen Schritt zu vereinfachen, wurden Untersuchungen für die 750V FET durchgeführt. Empfehlungen zur Anwendung der UJ4C-Serie und ein Upgrade-Kit sind bereits erhältlich.