Magnetoresistive Digital-Isolatoren mit sehr hoher CMTI
Zur Ansteuerung von SiC FET Leistungsschaltern – z.B. in On-Board- und Off-Board-Ladegeräten – wird eine galvanische Trennung zwischen Gate-Treibern und µController mit ausreichend hoher Impulsfestigkeit CMTI (Common Mode Transient Immunity) und hoher Isolation benötigt. Die hohen Schaltfrequenzen von SiC MOSFETs können sehr steile Spannungsspitzen von bis zu 150V/ns generieren.
Die magnetoresistiven, digitalen 2-Kanal-Isolatoren der IL7xx-Serie von NVE wurden speziell für derartige SiC-Anwendungen optimiert. Sie bieten nicht nur eine CMTI > 150V/ns, sondern auch eine Isolation von mehr als oder 6kV. Das symmetrische Design der Magnet-Kopplung sorgt für eine Pulsweiten-Verzerrung von maximal 3ns. Zusammen mit einer Gatterlaufzeit von unter 10ns ermöglicht dies ein kontrolliertes Timing über die gesamte Signalkette.
Die Isolatoren der IL7xx-Serie eignen sich auch für die galvanische Trennung in anderen Anwendungen, z.B. in der Sensorik. Sie entsprechen dem Lifetime-Modell (EOL Modell) gemäß VDE0884-11 und sind von NVE bereits nach den aktuellen Vorgaben des neuen Standards IEC60747-17:2020 getestet. Das neue Verfahren schreibt eine Zusammenlegung der Testintervalle zur Isolation und Teilentladung (PD) ohne zeitliche Pause vor. Dadurch werden Produkte mit grenzwertigen Eigenschaften vorab aussortiert. Alterungseffekte wie sie von Optokopplern bekannt sind, treten hier nicht auf. Die Lebensdauer wird praktisch nur durch die Technologie der Isolation bestimmt und kann leicht 30 Jahre oder mehr erreichen. Für den IL721VE spezifiziert der Hersteller im Datenblatt sogar eine theoretische Lebensdauer von 44000 Jahren!
Die Isolatoren von NVE findet man, neben anderen State-of-the-Art Komponenten für die Entwicklung von Ladeelektroniken im Bereich der E-Mobilität, im Angebot von Angst+Pfister Sensors and Power (vormals Pewatron). Dort steht mit dem neuen Evaluierungsboard BeFAST außerdem ein vielseitiges Entwicklungswerkzeug für die Ermittlung der relevanten Schaltungseigenschaften im Zusammenspiel aller essentiellen Komponenten wie SiC FET, DC-DC-Wandler, Isolatoren, Thermistoren usw. zur Verfügung.
